收藏本站
NP110N055PUJ
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZP)
No plating
10.0 ±0.3
7.88 MIN.
4.45 ±0.2
1.3 ±0.2
4
0.025
0.5
to 0.25
0 ±0
.6
.2
0.75 ±0.2
1 2
2.54
3
0 to 8 °
0.25
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Diode
Source
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
6
Data Sheet D19731EJ1V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP15P06SLG-E1-AY MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252
NP160N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
NP161N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
NP180N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
NP22N055SLE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
NP32N055SHE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
NP32N055SLE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
NP34N055SHE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
相关代理商/技术参数
NP110N055PUK 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP110N055PUK-E1-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
NP111-273K 制造商:YAMAICHI 功能描述: 制造商:Yamaichi Electronics 功能描述:
NP112 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, BR
NP112AL 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, AL
NP112BK 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, BK
NP112GY 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, GY
NP112I 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, IV